常凯研究员作报告

应“理化青年论坛”、“理化青年创新促进会”及澳门赌场功能晶体与激光技术重点实验室邀请，3月26日，澳门赌场半导体所超晶格与微结构国家重点实验室常凯研究员来理化所交流访问，并作了题为All-electrical control of Dirac electron in topological insulators的学术报告。

报告中，常凯研究员介绍了对拓扑绝缘体材料中电子自旋全电场调控的最新进展。目前对于半导体二维电子气中电子自旋的全电场调控主要基于自旋－轨道耦合相互作用，但是在常规半导体中这一作用很弱。而在时间反演不变的拓扑绝缘体中，自旋－轨道耦合作用很强，因此可以在这种材料中利用电场控制电子自旋输运行为。常凯研究员带领的研究团队与其他实验研究团队紧密合作，对于低维半导体结构中自旋－轨道耦合和自旋霍尔效应以及介观结构中自旋和电荷输运进行了系统的研究，阐明、理解和预言了拓扑绝缘体中发现的新奇光学、磁学和电子学性质。

常凯研究员是国家杰出青年基金获得者，研究领域主要是半导体纳米结构的物理性质和半导体自旋电子学，已在国际核心物理学期刊上发表论文50余篇，近年来在Nature Mater., Phys. Rev. Lett., New J. Phys., Phys. Rev. B等国际著名期刊发表相关领域论文多篇。