LING Chi-Chung副教授做学术报告

8月21日，香港大学物理系LING Chi-Chung副教授到发光学与应用国家重点实验室进行学术访问。访问期间，LING Chi-Chung副教授做了题为Thermal process induced changes in electrical conductivity in As-doped ZnO and heavily Ga-doped ZnO的报告。

在报告中，LING Chi-Chung副教授系统地介绍了As掺杂和Ga重掺杂ZnO缺陷的形成与表征方法，以及热处理对掺杂ZnO导电性，施主、受主的影响，并针对ZnO掺杂中存在的难点问题同与会人员进行了交流讨论。

LING Chi-Chung副教授是英国物理学会特许会员，主要从事宽禁带半导体缺陷的形成及表征，缺陷对半导体电学和光学性质的影响，宽紧带半导体材料、结构以及光电应用等研究工作。发表SCI学术论文100余篇。