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北京大学张锦教授到访理化所并作报告
  文章来源:理化技术研究所 发布时间:2014-10-13 【字号: 小  中  大   

  应“理化青年论坛”暨“澳门赌场青年创新促进会理化所分会”和澳门赌场光化学转换与功能材料重点实验室邀请,北京大学张锦教授于10月11日下午到澳门赌场理化技术研究所交流,并作了题为“单壁碳纳米管的控制生长方法研究”的学术报告。

  单壁碳纳米管(SWNTs)自1993年被发现以后受到研究人员的广泛关注,其研究热度一直延续至今。SWNTs的诸多特性使其有望代替传统硅材料,成为制作半导体器件的原材料,给电子设备(如计算机、智能手机等领域)带来新的科技革命。报告中,张锦针对SWNTs合成领域目前面临的几大难题,如生长机理、取向控制、结构控制(管径、手性等)、阵列密度以及半导体/金属SWNTs的分离等方面做了详细阐述。在CVD法合成SWNTs的过程中,采用晶格诱导定向和气流定向方法可以得到取向可控的SWNTs;晶格诱导定向方法中,SWNTs沿基底材料晶格中的富氧方向生长,根据基底材料不同(如石英、云母、Al2O3等),可制备出各种取向的SWNTs;若采用石墨烯为基底材料,则可通过SWNTs的生长方向确定其结构和手性。报告中提到了通过温度脉冲在SWNTs引入缺陷的方法,成功制备了管径可调的SWNTs,通过管径的变化可在单根SWNTs上形成具有不同带隙宽度的区段,使实现单根SWNTs器件成为可能。此外,报告中还提到了应用“智能胶带”完成金属/半导体SWNTs混合物的分离,其原理是利用不同有机官能团与金属/半导体SWNTs作用力的差别,从而实现高效的物理分离,不仅方法简单,分离效率更可达到90%。最后,张锦讲述了利用催化剂在SWNTs生长过程中逐渐释放的原理,避免了催化剂的团聚,从而大幅度提高了SWNTs阵列的密度,达到了SWNTs器件对纳米管排列密度的要求。

  张锦是北京大学教授、博士生导师、国家杰出青年基金获得者、长江学者特聘教授、科技部中青年科技创新领军人才入选者。主要从事碳纳米材料的控制合成、应用及其拉曼光谱学研究,已发表SCI收录论文160余篇。

 

张锦教授作报告 

 

学术报告会场

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